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射频PECVD:低压条件下,在13.56 MHz射频电流作用下产生高活性等离子体,从而实现材料生长、材料表界面改性的一种先进材料制备技术。
射频PECVD:低压条件下,在13.56 MHz射频电流作用下产生高活性等离子体,从而实现材料生长、材料表界面改性的一种先进材料制备技术。

五大子系统组成:气路控制系统、等离子体发生和控制系统、加热系统、真空系统、保护罩。


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